ae-mic超高精度、超精密電阻檢測AE-163D

更新日期：2024-05-15

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簡要描述：

ae-mic超高精度、超精密電阻檢測AE-163D
超高精度：分辨率10ppm，基本精度±0.005%
通過熱電動(dòng)勢抵消測量實(shí)現(xiàn)高精度和高穩(wěn)定性

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產(chǎn)品介紹

ae-mic超高精度、超精密電阻檢測AE-163D

適用于 B、C、D、F、G、J、K 級(jí)、芯片、melphs 、徑向和軸向電阻器的分揀和編帶機(jī)

超高精度：分辨率10ppm，基本精度±0.005%
通過熱電動(dòng)勢抵消測量實(shí)現(xiàn)高精度和高穩(wěn)定性
由于模數(shù)隔離提高了抗噪性，因此穩(wěn)定性高
通過各量程的測量值積分時(shí)間設(shè)置功能實(shí)現(xiàn)超高速和高穩(wěn)定性測量
值測量：0.00mΩ ~ 125.00MΩ
% 測量：5mΩ ~ 109mΩ [± 10.000% /-99.99 ~ + 25.00%]
接觸檢查：可選擇測量前/測量后/OFF
RS-232C接口標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備（GP-IB可選）
打印機(jī)輸出標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備（基于Centronics）
設(shè)定值傳輸功能標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備：（相同的設(shè)定數(shù)據(jù)可傳輸至另一臺(tái)AE-163D并自動(dòng)設(shè)定）
測量電流/測量電壓異常檢查電路標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備
配備測量探頭自清潔電路

測量范圍和基本精度（環(huán)境溫度23°C±5°C），校準(zhǔn)后90天[校準(zhǔn)后1年：雙倍]

測量范圍	標(biāo)準(zhǔn)值設(shè)定范圍	測量電流	測量精度^*
測量范圍	標(biāo)準(zhǔn)值設(shè)定范圍	測量電流	慢 [高分辨率]	快速 [LO-Resco.]	快速 [Lo-Resco。]
100mΩ	5mΩ-100mΩ	180mA	±0.01%±α±10d以內(nèi)	±0.02%±α±2d以內(nèi)	± 0.03% ± 2α ± 3d ± [2 / (1 + n)] d
1Ω	100.1mΩ～1Ω	180mA	±0.005%±α±3d以內(nèi)	±0.02%±α±1d以內(nèi)	± 0.02% ± α ± 2d ± [2 / (1 + n)] d
10Ω	1.001Ω～10Ω	90mA	±0.005%±α±3d以內(nèi)	±0.02%±α±1d以內(nèi)	± 0.02% ± α ± 2d ± [2 / (1 + n)] d
100Ω	10.01Ω-100Ω	18mA	±0.005%±1d以內(nèi)	±0.02%±1d以內(nèi)	± 0.02% ± 2d ± [1 / (1 + n)] d
1kΩ	100.1Ω～1kΩ	9mA
10kΩ	1.001kΩ～10kΩ	0.9mA
100kΩ	10.01kΩ-100kΩ	90μA
1兆歐	100.1kΩ～1MΩ	9μA	±0.007%±1d以內(nèi)		± 0.05% ± 2d ± [1 / (1 + n)] d
10兆歐	1.001MΩ ~ 10MΩ	0.9 微安	±0.02%±10d以內(nèi)	±0.03%±1d以內(nèi)	± 0.2% ± 4d ± [1 / (1 + n)] d
100MΩ	10.01MΩ-100MΩ	0.09 微安	±0.1%±20d以內(nèi)	±0.1%±2d以內(nèi)	----

* D = 位數(shù)，n = 積分時(shí)間（毫秒），應(yīng)用 Lo-Reso。測量值時(shí)
%：α = (100 / 標(biāo)準(zhǔn)設(shè)定值 mΩ) x 0.01%，測量值時(shí)：α = 0（加 ± 1d)

* *屏蔽狀態(tài)下的精度

ae-mic超高精度、超精密電阻檢測AE-163D

測量時(shí)間	外部啟動(dòng)		自由奔跑
	減緩	快速地	減緩	快速地
	大約 24 毫秒-400 毫秒。	大約 11 毫秒-400 毫秒。	約5次/秒～約2次/秒	約10次/秒～約2次/秒