Cr4+:YAG晶體
更新日期:2024-05-14
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簡要描述:
Cr4+:YAG晶體它在0.8-1.2μm波長范圍內有強的吸收,同時具有高熔點、抗損傷、導熱性能良好等優(yōu)點,常用于0.8-1.2μm波長激光器的被動調Q開關。
Cr4+:YAG晶體
Cr4+:YAG晶體
日本進口boya-Cr4+:YAG晶體
Cr4+:YAG
Cr4+:YAG晶體是一種優(yōu)秀的飽和吸收材料。它在0.8-1.2μm波長范圍內有強的吸收,同時具有高熔點、抗損傷、導熱性能良好等優(yōu)點,常用于0.8-1.2μm波長激光器的被動調Q開關。
Cr4+:YAG晶體特征
● 壽命長
● 高損傷閾值
● 高穩(wěn)定性
● 高可靠性
● 壽命長
● 高損傷閾值
● 高穩(wěn)定性
● 高可靠性
基本參數
項目 | 參數 |
化學分子式 | Cr4+:Y3AI5O12 |
晶向 | [100]或[111] |
初始吸收系數 | 0.5~6cm-1@1064nm |
初始透過率 | 5%~95%@1064nmm |
元件尺寸 | 直徑:3~12mm 截面:2×2~30×30mm |
尺寸公差 | 直徑:+0,-0.02mm,厚度: +0.2,-0mm |
柱面加工 | 精磨 |
端面平行度 | ≤10" |
端面平面度 | λ/10 per inch @632.8nm |
光潔度 | 10-5(MIL-PRF-13830B) |
增透膜反射率 | R<0.15%@1064nm |
膜層抗激光損傷閾值 | >750MW/cm2 |
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